Samsung Memoria MZ- VAP4T0BW 9100 PRO SSD Interna 4TB, PCIe 5.0 x4, NVMe 2.0, Memoria Diseñada para Profesionales y Jugadores, Compatible con PC, Móvil y Consola de Juegos

Samsung MZ-VAP4T0 4 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC

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Datos del producto

Condiciones ambientales

Intervalo de temperatura operativa 0 - 70 °C
Golpes en funcionamiento 1500 G

Peso y dimensiones

Peso 9 g
Ancho 80,2 mm
Altura 22,1 mm
Profundidad 2,38 mm

Control de energía

Consumo eléctrico promedio (lectura) 9 W
Consumo eléctrico promedio (escritura) 8,2 W
Voltaje de operación 3,3 V

Características

Factor de forma de disco SSD M.2
Algoritmos de seguridad soportados 256-bit AES
SDD, capacidad 4 TB
Tiempo medio entre fallos 1500000 h
Soporte S.M.A.R.T. Si
Soporte TRIM Si
Escritura aleatoria (4KB) 2600000 IOPS
Lectura aleatoria (4KB) 2200000 IOPS
Velocidad de escritura 13400 MB/s
Velocidad de lectura 14800 MB/s
Encriptación de hardware Si
Componente para PC/ordenador portátil
Tipo de memoria V-NAND TLC
NVMe Si
Interfaz PCI Express 5.0

Empaquetado

Tipo de embalaje Caja

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