Samsung MZ-V9P1T0 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND MLC

Samsung Disco Duro MZ-V9P1T0GW PCI Express 3.0 V-NAND MLC 1 TB SSD

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Datos del producto

Condiciones ambientales

Intervalo de temperatura operativa	0 - 70 °C
Golpes en funcionamiento	1500 G

Peso y dimensiones

Peso	28 g
Ancho	80 mm
Altura	24,3 mm
Profundidad	8,2 mm

Control de energía

Consumo de energía (promedio)	5,4 W
Consumo de energía (max)	7,8 W
Voltaje de operación	3,3 V

Características

Factor de forma de disco SSD	M.2
Algoritmos de seguridad soportados	256-bit AES
Versión NVMe	2.0
SDD, capacidad	1 TB
Tiempo medio entre fallos	1500000 h
Soporte S.M.A.R.T.	Si
Soporte TRIM	Si
Función DevSleep	Si
Escritura aleatoria (4KB)	1550000 IOPS
Lectura aleatoria (4KB)	1200000 IOPS
Velocidad de escritura	6900 MB/s
Velocidad de lectura	7450 MB/s
Tamaño de la unidad SSD M.2	2280 (22 x 80 mm)
Encriptación de hardware	Si
Componente para	PC
Tipo de memoria	V-NAND MLC
NVMe	Si
Interfaz	PCI Express 4.0

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